id: 16735
Title: Дегiбридизацiя в сполуках RAl2Si2
Authors: Нiколюк П.К., Ющенко А.В., Стасенко В.А., Нiколайчук В.Я.
Keywords:
Date of publication: 2018-07-10 08:46:10
Last changes: 2018-07-10 08:46:10
Year of publication: 2014
Summary: Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl2Si2 (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl2Si2. Таке збурення
проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора.
URI: http://repository.vsau.vin.ua/repository/getfile.php/16735.pdf
Publication type: Статті
Publication: Доповiдi Нацiональної академiї наук України. - 2014. - № 5. - С. 83-86.
In the collections :
Published by: Адміністратор
File : 16735.pdf Size : 168730 byte Format : Adobe PDF Access : For all
| |
|
|
